SK 海力士

公司概况

SK 海力士自称是一家总部位于韩国的半导体供应商，向全球客户提供 DRAM 与 NAND 闪存^[1]。这两类产品做的是不同的事：DRAM 是程序运行时处理器反复读写的工作内存，NAND 闪存是断电后仍能保存数据的存储介质。两者都以标准规格卖给大量客户，价格和需求起伏都很大。

在这两条产品线之外，这家公司近年更多被提起的是高带宽存储器（high-bandwidth memory，HBM）。HBM 的做法和普通内存芯片不同：它不把 DRAM 芯片平铺在封装里，而是把多层芯片垂直堆起来，再用硅通孔（through-silicon via，TSV）——穿过硅片的细垂直导线——把各层连起来，使堆叠起来的芯片可以当作一颗又宽又快的器件使用。堆叠的目的就是带宽：在内存和处理器之间做出比常规封装更宽的通道。

从 2009 年到第一款产品

SK 海力士称自己在 2009 年启动 HBM 研发，在硅通孔技术上做了四年才做出第一款产品，并于 2013 年 12 月发布了全球首款基于硅通孔技术的 HBM^[2]。从立项到发布之间的这段距离，正是公司自己反复强调的部分：难点不在存储单元，而在堆叠工艺。

六代产品

公司把 HBM 分为六代：HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E 和 HBM4^[2]。它表示自己是唯一一家从 HBM1 到 HBM3E 每一代都完成开发并出货的供应商^[1]。

最近这一段进程由三个时间点标出。2024 年 3 月，SK 海力士开始量产 HBM3E，当时公司称其为全球性能最好的 HBM^[2]。2024 年 9 月，它成为首家量产 12 层堆叠 HBM3E 的公司，容量为 36 GB^[1]。2025 年 3 月，它向主要客户提供了 12 层 HBM4 样品，是业界第一家这样做的公司^[3]。

怎么读这些节点

公司近期的公告里反复出现两个数字：堆了多少层，以及这一堆的总容量是多少。在同样的封装面积里堆更多层，是提高单颗器件容量的一条路径，从较早的层数走到 12 层、36 GB 的产品，公司正是按这个思路来表述的^[1]。另外，样品、量产和出货是几个不同阶段：样品是交给客户评估的器件，量产则意味着按批量在生产。

存储器长期是个拼成本和规模的生意，因为产品标准化、可互换。HBM 把一部分竞争挪到了别处——挪到堆叠和封装工艺上：层数、堆叠的良率、层与层之间的连接，决定了供应商能拿出什么。这也解释了为什么公司把自己的位置追溯到首款产品之前那四年硅通孔技术的积累，而不是某一代产品^[2]。

这些纪录的性质也值得说清楚。「每一代都出货」的说法、把 HBM3E 称为性能最好的 HBM、以及 12 层 HBM3E 量产和 12 层 HBM4 样品这两个「首次」，都是公司关于自家产品的表述^[1][2][3]。它们说明的是 SK 海力士称自己做了什么、在什么时候做到，而不是与其他供应商的独立比较。就公开信息看，这条线索目前停在 HBM4 样品上，公司尚未公布这一代的量产出货情况。